集成電路硅片襯底氧化物拋光液是由硅溶膠及特種功能性添加劑復(fù)配而成的氧化物CMP拋光液。該拋光液分散性好、粒度均勻、拋光速率穩(wěn)定，具有良好的分散、潤滑、易清洗等特點，能快速去除集成電路硅片襯底表面氧化層，該產(chǎn)品適用于集成電路硅片襯底氧化層的CMP加工工藝中。
8吋集成電路硅片襯底精拋光液是由硅溶膠及特種功能性添加劑復(fù)配而成的CMP拋光液。該拋光液分散性好、粒度均勻、拋光速率穩(wěn)定、金屬離子含量低，具有良好的分散、潤滑、易清洗等特點，能有效對粗拋后的硅片襯底進行精修以達到高平坦度、極低缺陷的鏡面效果，該拋光液適用于8吋集成電路硅片襯底CMP精拋加工工藝中。
集成電路硅片襯底氧化物拋光液是由硅溶膠及特種功能性添加劑復(fù)配而成的氧化物CMP拋光液。該拋光液分散性好、粒度均勻、拋光速率穩(wěn)定，具有良好的分散、潤滑、易清洗等特點，能快速去除集成電路硅片襯底表面氧化層，該產(chǎn)品適用于集成電路硅片襯底氧化層的CMP加工工藝中。
半導(dǎo)體硅片切割液是由多種進口特種功能性添加劑復(fù)配而成的高性能超濃縮產(chǎn)品。該切割液水溶性好，潤滑性能優(yōu)異，具有良好的抗泡性能，儲存穩(wěn)定，且能迅速帶走多線切割加工時產(chǎn)生的熱量，有利于提高半導(dǎo)體硅片的表面平整度和清潔度。適用于半導(dǎo)體硅片多線切割加工工藝中。
該切割液具有優(yōu)異的表面張力、分散性、潤滑性，能迅速帶走切割加工時產(chǎn)生的熱量，可以將包裹的顆粒碎屑懸浮在水中，快速隨水流帶走，同時具有優(yōu)異的抗氧化性，可以在芯片表面形成一層保護膜，減少焊端的腐蝕
紅外光學(xué)硅、鍺拋光液是為滿足紅外光學(xué)系統(tǒng)對硅、鍺材料表面高精度拋光需求而設(shè)計的專用拋光液。本解決方案致力于提供高效、穩(wěn)定、高精度的拋光液產(chǎn)品，以滿足紅外光學(xué)領(lǐng)域?qū)?、鍺材料拋光的高標(biāo)準要求。 紅外光學(xué)硅、鍺拋光主要分3個拋光工序，銑磨、粗拋、精拋。紅外光學(xué)拋光液主營產(chǎn)品分為氧化鋁拋光液、納米級二氧化硅拋光液。
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