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集成電路硅片襯底氧化物拋光液是由硅溶膠及特種功能性添加劑復(fù)配而成的氧化物CMP拋光液。該拋光液分散性好、粒度均勻、拋光速率穩(wěn)定，具有良好的分散、潤(rùn)滑、易清洗等特點(diǎn)，能快速去除集成電路硅片襯底表面氧化層，該產(chǎn)品適用于集成電路硅片襯底氧化層的CMP加工工藝中。

2拋光速率快、穩(wěn)定；

2拋光墊污染?。?/span>

2拋光后表面易清洗；

2拋光后平坦度高；

2環(huán)保。